技术编号:6887436
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及改善的绝缘体上半导体(SOI)衬底。更具体而言,本发 明涉及SOI衬底,所述SOI衬底每一个都具有包括半导体器件层的一个或多个器件区域,所述半导体器件层通过掩埋绝缘体层与基础衬底层隔离并由一个或多个垂直绝缘柱支撑,并涉及可以用于形成这样的SOI衬底的方法和前体结构。背景技术在半导体处理中,绝缘体上半导体(SOI)技术变得日益重要。SOI衬底结构典型地包括掩埋绝缘层,其功能是将顶半导体器件与&出半导体衬底电隔离。优选地,在SOI衬底的顶半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。