技术编号:6887689
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有衬底和半导体主体的半导体器件,该器件 包括具有依次排列的集电极区域、基极区域和发射极区域的双极晶体管,其中,半导体主体包括突出的台面,至少集电极区域的一部分和基极区域的一部分出现在这个台面内,这个台面被绝缘区域包围。这种器件,特别是被构建为HBT (Heterojunction Bipolar Transistor,异质结双极晶体管)时,非常适合于高频放大器应用。本发明还涉及生 产这种器件的方法。背景技术可以从2006年3月7日公开的美国...
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