技术编号:6887699
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及为发生等离子体所使用的放电电极、使用该放电电极 的薄膜制造装置及太阳能电池的制造方法。背景技术就制造非晶硅太阳能电池或微晶硅太阳能电池、TFT (Thin Film Transistor)用的薄膜的薄膜制造装置而言,从提高生产效率等观点出 发,基板的大面积化正在被推进。进行这种大面积基板(例示lmxlm 以上)的制膜时,使用高频等离子体的方法有用。使用高频等离子体 时,不仅要使用平行平板型的制膜装置,而且还要使用梯子型电极的 制膜方法才有效。作为...
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