技术编号:6887723
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明,涉及,特别是涉及在具有结晶缺陷密度高的缺陷集中区域的基板上形成的半导体发光元 件及其制造方法。背景技术半导体发光元件,包括在晶片上至少形成了 n型层、发光层及 p型层的半导体层。形成半导体层的晶片最好的是没有结晶缺陷, 具有良好的结晶性。做为降低结晶缺陷的方法,已经知道在晶片上 形成称为结晶缺陷区域(core)的区域的方法。核心(core),形成为贯 通晶片,是比其它区域结晶缺陷的密度高的区域。通过在晶片上形 成核心,可以在核心集中结晶缺陷。通过...
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