技术编号:6888005
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术提出了 一种由如下那样的存储单元构成的快闪存储器(例如,参照专利文献l以及非专利文献l)能够以较小的衬底占有 面积充分确保电荷蓄积层和控制栅极之间的电容量,且具有优 异的写入、擦除效率,并在形成于半导体衬底的表面的岛状半 导体层的侧壁具有以围绕岛状半导体层的方式形成的电荷蓄积 层和控制栅极。在上述快闪存储器中,利用热电子而向电荷蓄积层注入电 荷。将由于该电荷蓄积层的电荷蓄积状态的差异而引起的阈值 电压的差异存储为数据"0"、 "1...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。