技术编号：6888203
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制程，特别是涉及一种。背景技术 随着半导体技术的进步，元件的尺寸也不断地缩小。当集成电路的积集度增加，使得芯片的表面无法提供足够的面积来制作所需的内连线时，为了配合元件缩小后所增加的内连线需求，两层以上的多层金属内连线的设计，便成为超大规模集成电路(VLSI)技术所必须采用的方式。而在0.11微米以下的金属内连线制程中，因元件尺寸已大福缩小，若再利用光阻层来作为蚀刻罩幕将可能因黄光制程限制而无法达成小尺寸接触窗或导线的制作。因此利用与介...
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