技术编号：6888221
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造铜膜与其基底膜的密合性良好的半导体装置的技术。背景技术从提高半导体装置性能的要求出发，近年来正在实施使用铜线代 替铝线的配线技术。在制造这种半导体装置的工艺中，重要的是在半 导体晶片(以下称为晶片)的表面形成铜膜的技术。作为在晶片上形 成铜膜的技术之一，公知的是将铜的有机化合物用作为原料的化学蒸镀法(以下，称为CVD)。在形成有层间绝缘膜(以下，称为绝缘膜)的晶片上，在利用CVD 形成铜膜的情况下，有例如将作为原料气体的三甲基乙烯基甲硅烷基-...
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