技术编号：6888323
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，所述双栅晶体管包括沟道区域和布置在沟道区域的相对两侧上的两个栅极电极。背景技术当今电子市场上对更小和更紧凑的电子器件的需要向生产商提出了挑战，要求提供更小和更紧凑的集成电路(ic)和其他的半导体器件来减小每个ic的制造成本以及增大他们的计算能力。金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)是大部分IC的基本元件，从而，占用了很大一部分的晶片空间。减小IC中的M0SFET的尺寸(例如小于50nm的CMOS应用)在满足尺寸减小的挑战中扮演了 一...
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