技术编号:6888349
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaxIn!.xN (O^x^l )衬底以及清洗GaxIni.xN (0 S xSI )衬底的方法。背景技术在GaJnLxN (O^x^l )衬底中,GaN (氮化镓)衬底作为用于 诸如发射短波的光源和功率电子器件的半导体器件的材料,由于其3.4 eV的能带隙和高热导率,已经受到关注。氢化物气相外延法(HVPE)是一种生长GaN晶体的典型技术, 并且它允许GaN衬底由GaN晶体制得。然后,通过浅薄地在GaN衬 底上生长各种外延膜,可以获得光电子和...
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