技术编号:6888424
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括承载晶片和碳化硅施体层的多层半导体晶片,以及其 制备方法。背景技术氮化镓(GaN)通常被用作半导体器件中的活性层,原因在于其高的直 接带隙、高的电子饱和速率和高的电压阻断容量。该直接带隙非常适合于 制造绿色和蓝色LED以及激光二极管。氮化镓铝(GaAlN)和氮化镓铟 (GalnN)的晶体也可以用于这些应用中,GaAlN具有较大的带隙,GalnN 具有较小的带隙。基于氮化物的器件也被用于微波器件、高功率器件和 HEMT中。但是,GaN晶体难于生...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。