技术编号：6888426
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的各个方面总体上涉及一种半导体器件及用于制造半导体 器件的方法，且更具体地讲，涉及一种封装在具有减小的厚度的外壳 中的半导体器件。背景技术诸如整流器的半导体器件的效率降低的主要原因是在正常操作期 间不充分的冷却。减轻该问题的两个方式包括使用热沉以及减少密封 半导体器件的外壳的壁厚。图la和lb分别是由Vishay Intertechnology， Inc.制造的内部具有 四个半导体管芯(未示出)的Vishay Semiconductor牌单相内桥式...
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