技术编号：6888503
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体装置，且明确地说，涉及可编程电阻存储器元件以及其 形成和使用方法。 背景技术非易失性存储器因其在无电源情况下维持数据的能力而为有用的存储装置。己经研 究了若干材料以供非易失性存储器单元中使用。 一类可编程电阻材料是相变材料，例如 硫族化物合金，其能够在非晶相与结晶相之间稳定地转变。每一相展现特定的电阻状态， 且所述电阻状态区分用此类材料形成的存储器元件的逻辑值。具体地说，非晶状态展现 相对较高的电阻，且结晶状态展现相对较低的电阻。图...
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