技术编号:6888507
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一般的基板处理技术,特别涉及利用有机化合物进行基 板处理的基板处理方法、使用该基板处理方法的半导体装置的制造方 法、利用有机化合物进行基板处理的基板处理装置、以及记录有使该基 板处理装置动作的程序的记录介质。背景技术随着半导体装置性能的提高,作为高性能半导体装置的配线材料,广泛普及使用电阻值小的Cu。但是,因为Cu具有易于氧化的性质, 所以,例如在利用金属镶嵌(damascene)法形成Cu的多层配线结构 的工序中,从层间绝缘膜露出的Cu配线有时...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。