技术编号:6889066
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路(IC),且更具体而言,涉及具有增强互连的机械强度和可靠性的改良结构的后道(BEOL)互连。本法。' ,、 … 〃 …背景技术嵌入(Damascene)工艺是形成诸如半导体器件中的线或过孔这样的金属特征的众所周知的方法。在典型的嵌入工艺中,将电介质层沉积在衬底上且将电介质的一部分依照掩膜图形蚀刻掉。利用阻挡金属对电介质层中的蚀刻区域进行加衬且然后利用金属对其进行填充。电介质层之上沉积的过剩的村垫和金属在平坦化工艺中去除。过孔和线可...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。