技术编号:6889419
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,尤其涉及一种在移动电话基站、卫 星通讯、雷达等中使用的高输出功率放大器、高输出激光二极管、发 光二极管等。背景技术使用诸如硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等的半导 体的高输出功率放大器广泛地应用于移动电话基站的功率放大器或在 人造卫星等中安装的功率放大器。在这些应用中放大器需要超过100W 的较高的输出功率。另一方面,这些放大器需要小型化,导致增加的 输出功率密度。当输出功率密度被显著增加时,构成放大器的场效应 晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。