技术编号：6889613
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及加工薄膜半导体材料的一种方法和系统，尤其涉及使用激光照射和具有被照射的半导体薄膜的衬底连续运动而从衬底上的非晶或多晶薄膜来形成大晶粒控制晶粒边界位置的半导体薄膜。由于某些原因，使用传统的准分子激光热退火技术以产生多晶硅会产生一些问题。首先，加工过程中产生的多晶硅一般是由任意的一种微结构组成的小晶粒(即，晶粒边界的控制较差)，并且颗粒的大小不均匀，因而器件的性能较差、不均匀，而且产量较低。其次，为了得到质量可接受并且晶粒边界受控的多晶薄膜，不得不将...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。