技术编号:6889797
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在基片中制造开口的方法,该方法包括以下步 骤在基片表面上提供掩模层;在掩模层中形成开口;以及通过各向 异性干法蚀刻,在掩模层的掩模下,在基片上的开口处形成沟槽。本发明还涉及一种在基片中制造通孔的方法。本发明还涉及一种包括这种通孔的半导体器件,以及一种包括 这种半导体器件层叠的三维集成电路。背景技术这样的方法是己知的。随着CMOS按比例縮小即将走向末路, 集成电路(IC)制造商正在寻找一种替代方法来提高器件密度(每占 用面积)和性能。 一种替代...
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