技术编号：6889840
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术半导体器件，比如晶体管，通常是在单一结晶硅晶片表面上形成的，并可能包括多层图案化并互相连接的层。有源器件在 制造完成后，通过形成多层互连线3各、触点、通孔和电介质层净皮有 线连4妻成想要的电3各布局。发明内容在一个实施方式中，4是供一种互连结构。电介质材4+层 具有至少 一个开口以及在限定该开口的侧壁上的第 一阻障层。含钌 并含氧的第二阻障层覆盖在该第一阻障层上，该第二阻障层具有钌 区、氧化4了区和钌富集区。该钌区净皮置于该第一阻障层和该氧化钌 区...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。