技术编号：6890163
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多孔SOG膜的制备方法，具体来说，本发明涉及的多孔SOG膜的制备方法包括的步骤是使有机硅烷水解，然后将水解的有机硅烷在表面活性剂的存在下热处理。如果SiO2膜是用传统技术形成的，并且随后在半导体器件的制造工艺如CVD工艺中再在该SiO2膜上沉积一层膜，就会出现得到的产品的相对介电常数增加的问题。在用无机SOG形成多孔SiO2膜的情况下，出现的问题是得到的多孔膜中的孔的直径太大而不能通过细孔的形成来降低其相对介电常数。另外，在用有机硅烷形成Si...
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