技术编号:6890179
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种采用下列步骤在半导体衬底上提供一外延层,该外延层有一上表面并具有第一导电类型;注入原子,向外延层提供预定的变容二极管掺杂轮廓;在外延层上提供肖特基电极。从JP-A-09/275217中已知这样一种方法。在已知的方法中,杂质原子被注入外延层中产生高斯分布。外延层的表面被刻蚀直到达到高斯分布的峰值浓度为止。然后,肖特基电极被淀积在外延层上。欧姆电极被淀积在衬底的对边。这种方法提供肖特基变容二极管但不完全适于用在还同时形成其它元件的集成工艺中。此外...
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