技术编号：6890200
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。置(holding)、沉积(CVD)或蚀刻工艺期间，实时监控腔室的技术，更为具 体地，涉及一种，该方法在腔室泄漏从而 外部空气引入到腔室时能够通过使用时间序列神经网络算法(或智能算法)腔室的泄漏，并且在停置、沉积或蚀刻基底的工艺期间能够实时监控来自腔 室的等离子体发射，从而通过监控检测等离子体光谱中的氮(N2)、氧(02)、 氩(Ar)等的特定光谱。背景技术众所周知的，在通过使用等离子体的装置在真空中制造半导体基底(或 晶片)的工艺期间，将诸如多晶硅、氧化...
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