技术编号:6890695
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体处理装置、聚焦环和基座。 背景技术 广为人知的等离子体处理装置的示例包括CVD装置、蚀刻装置、灰化装置等等。这样一种等离子体处理装置具有一个等离子体处理腔,其中安装有一个基座,在基座上安装有晶片W,即被处理的对象。如图16所示,该基座由盘形静电卡盘51组成,在卡盘51之上安装有晶片W,聚焦环52是由仅仅是导电材料或仅仅是介电材料制成,并且设置于静电卡盘51的上表面的外周边缘上。 当在晶片W上执行等离子体的处理时,晶片W安装于静电卡盘51...
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