具有改进的磁场范围的磁多层结构的制作方法技术资料下载

技术编号:6890813

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本发明涉及一种磁致电阻装置,其包括支承用于提供磁致电阻效应的自由和固定的铁磁层的衬底,所述的固定层包括人造的反铁磁性物质层系统(AAF),和交换偏置层,该交换偏置层临近和磁感应该AAF层系统。发明的背景旋转阀结构,例如大磁致电阻(GMR)和旋转道磁致电阻(TMR)装置最近被广泛地研究并已经成为具有很多公开的课题。GMR和TMR装置包括由非磁性材料的分隔层分隔的作为基本构件的两个铁磁性层。这个结构将称为磁装置的基本GMR或TMR堆,或者被称为GMR或者TMR...
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