技术编号：6890817
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的要素的制造工艺的管理使用的结构评价方法、半导体装置的制造方法及记录媒体。这里，现有的薄膜工艺，通过1次的工艺而形成的薄膜是在深度方向基本上组成和其他物性变化不大的均匀的膜。另一方面，如Si-MOS晶体管的栅极部分那样，在成为栅极绝缘膜的硅氧化膜上，叠层成为栅极的多晶硅膜的例子也不少，但是，这时，在各层内组成基本上是均匀的，各层间的界面几乎都是明确的。另外，作为基片上的单层膜和多层膜的各层的膜厚和组成的评价技术，有光学的评价方法，作为光...
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