技术编号:6890829
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及受光元件阵列,特别是涉及降低受光元件间的串扰,防止特性劣化的受光元件阵列。构成现有技术的受光元件阵列的受光元件是通过扩散形成pn结(该区域成为受光部)的pin结构的光电二极管。图2中示出附图说明图1的受光元件阵列的A-A’线的局部放大剖视图。在n-InP基板20上叠层n-InP层(缓冲层)22、不掺杂(i-)InGaAs层(光吸收层)24、n-InP层(窗口层)26,在n-InP层26内扩散Zn(因为扩散是等向的,故除了扩散深度外还沿横向扩散),...
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