技术编号:6890964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片及其制造方法,并且更具体地涉及集成的多槺极 氧化物厚度或成分的半导体芯片及其制造方法。背景技术在CMOS技术内,存在用多栅极电介质在芯片内产生场效应晶体管 (FET)的需求。通过实例的方式,对于不同器件性能和产品的需求,需要 多栅极电介质厚度。对于高性能逻辑电路,通常需要薄电介质,而需要较厚 的电介质以支持在较高电压下工作的I/O电路。还希望在半导体芯片内产生 包含独特的栅极电介质成分的区。不同的栅极电介质成分可以包括氧化物、 氮化物、...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。