技术编号:6891035
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及含有Si、 Ge的薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的 有机EL显示装置。背景技术作为可以适用于有机EL显示装置或液晶显示装置等的外围电路 的高迁移率的薄膜晶体管(以下称为"TFT,,),有半导体层使用了多 晶硅的多晶硅TFT。尤其有为了在更低的温度下形成TFT而使用导 入了 Ge的多晶SiGe作为半导体层的方法。在日本专利申请 JP-A-2002-231958中披露了为了提高迁移率特性而在晶界上偏析Ge 的结构。但是,在背景技术中,难以在低温下形成...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。