技术编号:6891161
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件及其制造方法,更特别地,涉及一种非易失 性存储器及其制造方法。背景技术随着消费性电子产品的普及与系统产品的广泛应用,对于具有低功耗、 低成本、高读/写速度、小体积和高容量密度的存储器的需求也越来越高。在 目前的存储器中,具有一种通过改变可变电阻层的电阻率来记录数据的存储 器,是目前极力发展的非易失性存储器元件之一。电阻式存卡者器(resistive random access memory, RRAM )是利用电济J7jc 冲以及施...
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