技术编号：6891408
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种工艺方法，特别涉及一种以激光退火于富硅介电薄膜形 成纳米管芯的方法。背景技术光电(或光伏打)元件(Photo-Voltaic Device, PV)广泛的应用于各种区域， 例如太阳能电池、触控显示器、紫外光蓝光(UV-blue)侦测器、全色域光侦测 器和高分辨率薄膜晶体管显示器。光伏打元件一般形成有纳米管芯 (nanocrystal),且一般采用例如硅、锗的半导体材料，依据材料的能带和量子 点的量子限制效应quantum confinemen...
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