技术编号：6891793
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种可通过改变组分调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜材料及其制备方法， 属于半导体材料。背景技术氧化镓((3-Ga203)是具有直接带隙的宽带隙(Eg 4.9eV)半导体材料，以前对于Ga203 的研究多集中在气敏性质、透明导电和纳米材料等方面。与GaN(Eg 3.4eV)和ZnO(Eg 3.37eV)相比较，氧化镓材料具有带隙更宽的优点，且物化性能稳定，是一种很有前途的 紫外光材料。氧化铟(ln203)是重要的光电子信息材料，该半导体材料具有直接带...
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