技术编号:6891835
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电容器,具体涉及一种多层复合膜电容器。 背景技术随着电子元器件小型化、低成本、高性能的需求,贱金属内电极片式多层 陶瓷电容器也向大容量、超薄层方向发展。贱金属内电极片式多层陶瓷电容器 由陶瓷介质、内电极金属层和端电极三层构成。但是,这种结构的陶瓷电容器需要采用烧结工艺制备, 一般的烧结温度范围在1200-130(TC之间,低温烧结温 度范围在800-100(TC之间。为此,不可避免地要解决不同收縮率的陶瓷介质和 内电极金属如何在高温烧成后不会...
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