技术编号:6891986
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及高压MOS器件浅沟槽区域的制程方 法,属于半导体制造领域。背景技术在0.25 以下的成熟制程中,通常使用蚀刻形成浅沟槽的方式来达到 元器件相隔绝的目的。为防止尖端放电的产生,在浅沟槽蚀刻后进行介电材 料的绝缘填充前,往往都会在浅沟槽内生长一层薄薄的氧化层,使得浅沟槽 的折角处能够较为平滑。 一般情况下,高压MOS器件会应用在电压较高的 环境下(电压大于12伏),所以栅氧化层的厚度比较高(通常大于 200A)。由于制程能力的限制...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。