技术编号：6892291
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅锗双极晶体管，其锗浓度分布被最佳化，以便减小与工作点有关的电流放大系数变化。硅锗双极晶体管，简称SiGeBT，是硅双极晶体管的进一步发展，并且其特征为在高频波段不寻常的效率。在这种SiGeBT中有目的地使基极区及邻接的发射极区的边缘区与锗(Ge)形成合金。在应用合适的锗分布的情况下，在晶体管的该区内在价带和导带之间的能带宽度起较小的作用，以致载流子较快地通过基极区。因此，SiGeBT具有极高的极限频率并特别适合于高频应用。这种SiGeBT例如可...
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