技术编号：6892297
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要是涉及将具有直径300mm以上的大直径硅单晶片(以下简称为单晶片)进行热处理的退火单晶片的制造方法及以该制造方法所得的退火单晶片。顺便一提，人们已知以CZ法制作的硅单晶片中，会挟带称为COP(Crystal Originated Particle)等内生长(Grown-in)缺陷的结晶缺陷，这种缺陷若存在于单晶片表面附近的元件制作领域内则会使氧化膜耐压等元件特性劣化。将这种内生缺陷自单晶片表层部除去的方法之一，已知现有技术为将CZ硅单晶片W置于氢...
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