技术编号:6892456
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种可优化工艺的半导体器件制造 方法。背景技术在深亚微米半导体制造领域,为降低M0S管栅源漏极的接触电阻,现通常 采用自对准硅化物工艺(Salicide Process)在M0S管4册源漏极上同时形成金 属硅化物。半导体器件的硅村底上除直接制造M0S管外,通常还直接制造电阻,以下 将详述具有M0S管和电阻的半导体器件的制造过程首先在硅衬底上制作栅氧 化层和多晶硅层;然后通过刻蚀工艺去除栅极区和电阻区外的栅氧化层和多晶 硅层...
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