技术编号:6892457
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及绝缘介质制造工艺,尤其涉及一种可提高器件良率的绝缘介质 制造方法。背景技术氮化硅广泛应用在半导体制造领域中,其不仅用于充当绝缘介质层,还用 量会对半导体器件的质量有着重要的影响。现在多采用产量高和反应温度低的等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺来制造氮化硅,为确保氮化硅的质量, 现在PECVD设备中完成预设数量(例如在具有四个反应腔的PECVD设备中,该 预设数量为12片)晶圆的氮化硅沉积后,会采用等离子体清洗工艺来清洗反应 腔,等离子体清洗...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。