技术编号：6892616
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制程，特别是涉及一种检测化学机械研磨 (Chemical Mechanical Polishing,缩写为CMP, i兌明书其他部分使用 缩写CMP代指化学机械研磨)造成的金属区碟陷(dishing)和介质 区侵蚀(erosion)的测试结构及方法。背景技术CMP技f艮有研磨性,.赞的，械式研磨与酸碱溶液的化学式研 磨两种作用，通过CMP可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利 于后续薄膜沉积的进行。CMP技术是现有半导体制程中必不可少的步骤...
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