具有轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的制造方法技术资料下载

技术编号:6892650

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本发明涉及一种低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管液晶显示装置的制造方法, 特别地涉及到一种具有轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法。背景技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)目前已成为主要的平板显示器,而薄 膜晶体管可以分为非晶硅和多晶硅薄膜晶体管。随着人们对液晶显示的品质的 追求,多晶硅薄膜晶体管由于其具有高的电子迁移率,有利于实现高精细度的 元件与像素排列,多晶硅已逐渐取代非晶硅成为薄膜晶体管技术的发展主流。 为了进一步抑制多晶硅薄膜晶体管...
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