技术编号：6892853
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片金属连线的制作领域，尤其涉及具有中间阻挡层的 硅基底上金属沟槽的制作方法。背景技水请参见如附图说明图1所示预制作金属沟槽的基底结构，硅基底1具有中间阻挡层21和底部阻挡层22。硅基底1上制作有过孔7，未制作有过孔7的硅基底1表 面具有硬掩模层3，在蚀刻制作金属沟槽之前，在硅基1上涂敷光阻41。传统 制作金属沟槽的制作工艺流程请参见图2。首先在图1所示的基底结构上制作好 过孔7 (Via);然后在过孔7内填充底层抗反射膜50 (Botto...
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