技术编号:6893089
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术增强硅基成像器件的紫外响应在CCD (Charge Coupled Device,电荷耦合器件)图像传 感器、COMS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor,附加金属氧化物半导体组件)器件 等光电图像传感器上着广泛的应用。近几年来,数字图像传感器的发展及应用正在突飞猛进, 但由于紫外光在传统的CCD、COMS图像传感器的硅基透射深度低于2nm,致使CCD、COMS 都不响应紫外光。为了进...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。