技术编号:6893144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,特别涉及一种在集成电路中制备隧道 窗口的方法。 背景技术在一些存储产品中,经常需要利用隧道窗口 (Tunnel Window,简称TW) 结构。在隧道窗口的制备中,关键尺寸是制备过程中最难控制的尺寸。减 小关键尺寸可以在单位硅片上布局更多的存储产品,从而降低制造成本, 提高利润。现有的制备隧道窗口的方法流程如图1所示。首先,在硅片基体1上 方的隧道氧化膜层2上依次涂布底层有机抗反射涂层3和光刻胶5,并进行 隧道窗口光刻,形成如图...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。