技术编号:6893145
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种刻蚀工艺中监控刻蚀终点的方法,具体涉及一种刻蚀 小开口密度结构中监控刻蚀终点的方法。 背景技术在干法刻蚀工艺中经常会有小开口密度结构的刻蚀制程(例如隧道窗口Turmel,发射窗口 EW),开口密度小(一般情况下小于3%),或者 当刻蚀层膜质和刻蚀底层膜质相同时,都只能用时间控制,很难用等离子 体刻蚀终点检测(EDP, end point monitor),导致关键尺寸(CD)和残膜 厚度难以控制,从而影响了干法刻蚀窗口。图1所示是现有干法刻蚀...
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