技术编号:6893160
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件源漏注入结构的制备方法,包括源漏区和 轻掺杂漏区的形成。 背景技术在半导体芯片制造中, 一般光刻的次数决定了产品的成本。在传统的芯片制备工艺流程中,源漏注入区(SD Implanting)和轻掺杂漏区(LDD Light Dose Doping)注入分别通过两次光刻来作为注入阻挡层。常见的 半导体器件注入结构形成的方法流程,在多晶硅栅极形成之后,包括如下 步骤1、 在硅片上淀积一层氧化硅衬垫层,用于在离子注入过程中保护硅 衬底上己经...
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