技术编号:6893183
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是一种涉及金属接触孔的方法。背景技术传统的金属接触孔膜层结构中通常由未搀杂氧化膜(USG),硼磷硅酸玻璃(BPSG) 和氮化物或者氮氧化膜组成,其中氮化物(SiN/SiON)作为刻蚀阻挡层。这是因为在传统工 艺中干法刻蚀都可以相对容易地获得未搀杂氧化膜(USG)对氮化物的高选择比。但是当刻 蚀掉最后的氮化物(SiN/SiON)时,问题出现了,由于硅氮氧化物硅(SONOS)工艺的设计特 性,金属接触孔都为无边界容许孔;同...
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