技术编号:6893207
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路制造工艺,特别是涉及一种栅氧化层的制造方法。背景技术浅槽隔离(STI)技术是亚0.25ym器件中常用的隔离工艺,它的优点是占有面积 小、填充氧化物厚度均匀、隔离效果好等。 在进行浅槽隔离工艺之前,硅片上已经定义好了有源区。浅槽隔离工艺通常包括 如下步骤 第1步,请参阅图la。先在硅片IO表面生长一层隔离氧化硅11。再在硅片10表 面淀积一层氮化硅12。接着在硅片10表面涂光刻胶13曝光显影后形成刻蚀窗口 131。接 着在刻蚀窗口 13...
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