技术编号：6893239
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及按权利要求1、5、8和42的前序部分的一种发射辐射半导体器件及按照权利要求34的前序部分的用于此的一种制造方法。1.1本发明特别涉及具有在碳化硅为基础的生长衬底上覆盖氮化物为基础的有源多层结构的一种发射辐射半导体器件。所述类型发射辐射半导体器件一般具有包含用于产生辐射的有源层的半导体多层结构，它覆盖在透射辐射的载体上。辐射耦合输出穿过载体进行。然而在该装置中，产生的辐射在载体表面的全反射强烈地限制了辐射效率。在长方体或立方体形状的载体时，由于载体...
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