技术编号:6893240
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,制造薄膜半导体器件的方法及薄膜半导体器件的制作方法本发明涉及一种,制造薄膜半导体器件的方法及薄膜半导体器件,更具体地,通过受激准分子激光退火利用结晶化的半导体层的掺杂方法,制造像薄膜晶体管那样的薄膜半导体器件的方法,薄膜半导体器件,其中,由例如多晶硅材料制成的半导体层作为沟道。背景技术 伴随着高度信息化时代的发展,输入输出装置的重要性正在急速的增加,要求先进性的高机能化装置。而且,在近几年个人数字辅助机器的普及十分显著,因此,比起传统的玻璃基板来说,更希...
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