技术编号:6893260
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的测试结构,尤其是一种半导体器件P2ID和SM的测 试结构。背景技术在较为先进的半导体制程中(《0. 25 m工艺),随着器件最小特征尺寸的不断縮 小以及工艺的改变,诸如层间介质膜等,针对P2ID(用于监控半导体工艺过程中可靠性相 关的等离子体损伤,Process Induced PlasmaDamage)禾口 SM(介质层应力迁移损伤,Stress Induced Migration)两方面的评估和监控是工艺可靠性十分重要的课题。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。