技术编号:6894374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示范实施例涉及一种半导体器件和/或其制造方法,且例如,涉 及薄膜晶体管和/或其制造方法。背景技术在例如液晶显示装置或有机发光显示装置的平板显示装置中,使用薄膜晶体管(TFT)作为开关器件。TFT的迁移率或漏电流受到TFT沟道层的材 料和状态的严重影响。在商业生产的液晶显示装置中,TFT的沟道层主要为非晶硅层,其具有 相对很低的接近0.5cmVVs的电荷迁移率。因此,很难增大商业生产的液晶 显示装置的运行速度。因此,人们已经对使用氧化物半导体材料层作...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。