技术编号:6894379
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶片切割的方法,尤其涉及一种应用在双片晶片堆叠且 具有空腔的。背景技术随着系统级封装(System in Package, SIP)的技术发展趋势日渐重要,三 维(3D)堆叠封装的技术,日益受电子产品市场的瞩目。3D堆叠封装的发展, 除了能将存储器在电路板上所占的面积大幅缩小,以提升电子产品缩小化的 效率外,更能将原本功能不同的晶片整合在同一封装模块中,而以最有效益 的方式,达到系统级封装的效益。系统级封装是指结合单/多片晶片(IC)以及离散...
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